●ローム株式会社、高電圧で動作する汎用インバータや製造装置などの産業機器に向けた1700V耐圧のSiC-MOSFETを開発(ローム　ニュースリリースより)

2016年4月21日

http://www.rohm.co.jp/web/japan/news-detail?news-title=2016-04-21_news_sicmos&defaultGroupId=false

●NEDO、東洋炭素および関西学院大学、Si蒸気圧エッチング技術により欠陥を1／20に低減した「高品質薄板化SiCエピウエハ」を共同開発(NEDO　プレスリリースより)

2016年4月14日

http://www.nedo.go.jp/news/press/AA5_100556.html

●NTT、東京理科大学、窒化ガリウム半導体においてアト秒周期で振動する電子の動きを観測することに成功したと発表（NTT　ニュースリリースより）

2016年4月13日

http://www.ntt.co.jp/news2016/1604/160411b.html

http://news.mynavi.jp/news/2016/04/13/469/

●三菱電機、第7世代IGBT搭載「IPM G1シリーズ」サンプル提供開始 (三菱電機　ニュースリリースより)

2016年4月13日

http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2016/0413-b.html

http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2016/pdf/0413-b.pdf

●産総研と名古屋大学、GaN系半導体を用いたパワー素子などの早期実用化に向け、「産総研・名大 窒化物半導体先進デバイスオープンイノベーションラボラトリ」（GaN-OIL）を設立(産総研　プレスリリースより)

2016年4月12日

http://www.aist.go.jp/aist_j/news/pr20160412.html

●インドRNTBCI（Renault Nissan Technology & Business Centre India）社、インドを世界の開発・生産拠点へ(日経テクノロジーより)

2016年4月12日

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/mag/15/397260/032300063/

●富士通セミコンダクター、動作消費電力が業界最小クラスの64Kビット FRAMを開発(富士通セミコンダクターより)

2016年4月7日

http://www.fujitsu.com/jp/group/fsl/products/memory/fram/lineup/i2c-64k-mb85rc64t.html

●三菱電機、HVIGBTモジュール Xシリーズ 新型デュアルの開発(三菱電機　ニュースリリースより)

2016年4月6日

http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2016/0406.html

●日立化成、パワーデバイス向けに放熱材料を拡充（日刊工業新聞より）

2016年4月6日

https://www.nikkan.co.jp/articles/view/00380861

●Samsung、10nmクラスDRAMの量産を開始、液浸ArFの4重露光(Sumsung　ニュースリリース)

2016年4月5日

http://www.samsung.com/semiconductor/about-us/news/24821

●キーサイト・テクノロジー、最小100pAレベルの微小電流を測定できる新電流波形アナライザ「CX3000」シリーズを発表 (キーサイトより)

2016年4月5日

http://www.keysight.com/ja/pc-2633352/device-current-waveform-analyzers?nid=-32302.0.00&cc=JP&lc=jpn

http://news.mynavi.jp/news/2016/04/05/223/

●Nuvoton、家電機器向けの高ノイズ耐性8051マイコンの開発(Nuvoton　ニュースリリースより)

2016年3月30日

http://www.nuvoton.com/hq/about-nuvoton/news/products-technology/Nuvoton-Launches-1T-8051-MicrocontrollerN76E616AL48/?__locale=ja