●Infineon、耐圧650VのSJ MOSFETの新製品、60％小型化(Infineon製品リストより)

2016年5月16日

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/051600011/?ST=powerele&d=1463720909566

http://www.infineon.com/cms/jp/product/power/power-mosfet/500v-900v-n-channel-coolmos-power-mosfet/coolmos-family-selection-guide/650v-coolmos-c7/channel.html?channel=db3a3043394427e401394d868901276b

●Imec、650V GaN-on-Siパワーダイオードの開発(Imec newsより)

2016年5月16日

http://www2.imec.be/be_en/press/imec-news/iqe-gan-schottky-power-diodes.html

http://www.iqep.com/news/2016/05/iqe-joins-imec%E2%80%99s-gan-on-si-industrial-affiliation-program/

http://news.mynavi.jp/news/2016/05/19/033/

●STマイクロエレクトロニクス、ハイブリッドおよび電気自動車向けた高効率なSiCパワー半導体及び車載用製品規格であるAEC-Q101の認定取得スケジュールを発表(STマイクロエレクトロニクスより)

2016年5月16日

http://www.st.com/content/st_com/ja/about/media-center/press-item.html/p3830.html

http://news.biglobe.ne.jp/economy/0518/prt_160518_9625818589.html

●General Electric、MOSFETからモジュール、インバーターに至るまでSiC関連製品を「PCIM Europe 2016」に出展(日経テクノロジーオンラインより)

2016年5月13日

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/050600058/051300010/?rt=nocnt

●日立金属、パワー半導体向けに窒化ケイ素基板の用途を開拓 (化学工業日報より)

2016年5月11日

http://www.kagakukogyonippo.com/headline/2016/05/11-24624.html

●Power Integrations、1200 V アプリケーション向けの革新的な SCALE-iDriver IC を用いた高信頼性 SCALE-2 ドライバ技術を発表 (Power Intergrations ニュースより)

2016年5月10日

http://www.zaikei.co.jp/releases/355034/

http://www.businesswire.com/news/home/20160510005575/ja/

https://www.power.com/ja/news/2016-05-10-scale-idriver-ics-introduce-high-reliability-scale-2-driver-technology-1200-v/

https://igbt-driver.power.com/ja/products/scale-idriver-ic-family/scale-idriver/?language=ja

●ベルニクス、GaNパワートランジスタを搭載した力率改善（PFC：Power Factor Correction）ユニット「BPF-360S0R7」の解明（日経テクノロジーより）

2016年5月6日

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/050600302/

●インフェニオン、1200VのシリコンカーバイドMOSFET技術を発表(インフェニオンプレスリリースより)

2016年5月4日

http://www.infineon.com/cms/jp/about-infineon/press/press-releases/2016/INFIPC201605-053.html

●クオルテック、 車載用パワー半導体を高い信頼性と効率で試験できるパワーサイクル試験装置の製品化 （クオルテックプレスリリースより）

2016年5月2日

http://www.qualtec.co.jp/info/exhibition/_–.php

http://newswitch.jp/p/4703

●ローム、業界最小の低VFと高サージ電流耐量を実現したSiCショットキーバリアダイオード「SCS3シリーズ」の開発(ロームニュースリリースより)

2016年4月26年

http://www.rohm.co.jp/web/japan/news-detail?news-title=2016-04-26_news_third_sic&defaultGroupId=false

http://www.rohm.co.jp/web/japan/news-detail?news-title=2016-04-26_ad_third_sic&defaultGroupId=false

●日本TI、高性能の電力変換機能を提供する600V GaN FETパワー・ステージ製品を発表(日本TI ニュースリリース より)

2016年4月26日

http://eetimes.jp/ee/articles/1604/26/news088.html

http://newscenter-jp.ti.com/press-releases?item=123715