●東工大、希少元素を使わずに赤く光る新窒化物半導体を発見 （NATURECOMMUNICATIONS より）

2016年6月22日

http://www.nature.com/ncomms/2016/160621/ncomms11962/full/ncomms11962.html

http://www.titech.ac.jp/news/2016/035528.html

http://news.mynavi.jp/news/2016/06/22/053/

●NXPセミコンダクターズ、高周波数を実現したGaN RFパワートランジスタを発表（EDN Japanより）

2016年6月21日

http://ednjapan.com/edn/articles/1606/21/news020.html

●京都大学とローム、ISPSD 2016にて、耐圧3kV、オン抵抗20mΩcm2の双方向SiC MOSFETを共同発表(日経テクノロジーより)

2016年6月16日

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/061200065/061600007/

●パナソニック、双方向スイッチング可能なGaNパワートランジスタ及びゲート駆動回路を収めた体積約1ccのモジュールを開発（日経テクノロジーより）

2016年6月16日

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/061200065/061600008/?rt=nocnt

●富士電機、「シールドトレンチ」と呼ぶ構造を設けた低損失な新型IGBTを開発（日経テクノロジーより）

2016年6月16日

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/061200065/061600006/

http://www.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/06/16/16100/?ST=safety&rt=nocnt

●三菱電機、業務無線機用「シリコンRF 高出力MOSFETモジュール」を発売(三菱電機　ニュースリリースより)

2016年6月15日

http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2016/0615.html

●東芝、0.13μm世代アナログパワー半導体向けプロセスにおける静電気放電保護素子を開発（東芝 ニュースリリースより）

2016年6月15日

http://toshiba.semicon-storage.com/jp/company/news/news-topics/2016/06/corporate-20160615-1.html

http://www.jiji.com/jc/article?k=20160615005481&g=bw

●パナソニック、AlGaNの再成長によるGaNパワー素子の特性ばらつきを抑制（日経テクノロジーより）

2016年6月14日

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/event/15/061200065/061400002/?ST=powerele

●中村製作所, 電気自動車向けパワー半導体IGBT用高性能ヒートシンク成形用金型の開発 (Diginfo.tvより)

2016年6月14日

http://jp.diginfo.tv/v/pd-1108.php

●ローム、PCIM Europeで成熟期にさしかかったSiC技術を公開（EE Times Japanより）

2016年6月13日

http://eetimes.jp/ee/articles/1606/13/news077.html

●PCIM Europe、SiC／GaNパワー半導体、シリコンからの置き換えは期待されつつも数年先を提言（EE Times Japanより）

2016年6月13日

http://eetimes.jp/ee/articles/1606/13/news036.html

●昭和電工、パワー半導体用SiCエピウェハー高品質グレードの生産能力を増強（昭和電工 ニュースリリースより）

2016年6月9日

http://www.sdk.co.jp/news/2016/15916.html

●NXP Semiconductors、実装面積10.9mm2と小さい車載機器向けパワーMOSFETを発売（日経テクノロジーより）

2016年6月1日

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/053100336/

●STマイクロエレクトロニクス、SiCパワー半導体を搭載した革新的な電気自動車用ポータブル充電器(Zaptecの)を開発（STマイクロエレクトロニクスニュースリリースより）

2016年5月30日

http://www.st.com/content/st_com/ja/about/media-center/press-item.html/t3831.html

●富士電機、電気自動車両向けに従来技術に比べ、50%の小型化と60％の軽量化を実現したIGBTモジュールを開発（日経テクノロジーより）

2016年5月24日

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/052402241/

●メンター・グラフィックス、車載パワーデバイスのシミュレーションエラーを20％から0.5％に低減する「MicReD Power Tester 600A」を発表(メンター・グラフィックスより)

2016年5月24日

http://eetimes.jp/ee/articles/1605/25/news036.html

http://www.mentorg.co.jp/products/mechanical/news/2016/20160524.html

●PCIM Europe、メーカーによって、SiC/GaNの市場先行きの違いを提言（EE Times Japanより）

2016年5月23日

http://eetimes.jp/ee/articles/1605/23/news078.html

●ローム、NXP「i.MX 7Solo/7Dual」プロセッサに最適な高効率パワーマネジメントICを開発(ローム　ニュースリリースより)

2016年5月18日

http://www.rohm.co.jp/web/japan/news-detail?news-title=2016-05-18_news_pmic&defaultGroupId=false