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2016.11.11

WBGパワー半導体ヘッドライン No.37 (10月11日)

●Fairchild Semiconductor、650V耐圧パワーMOSFETを発売、同社の前世代品に比べて44%削減(Fairchild Semiconductorプリースリストより)

2016920

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/092200501/?ST=device&d=1474783302668

https://www.fairchildsemi.com/about/press-releases/Press-Release.html?id=20160920-SuperFET3

 

●産業技術総合研究所(産総研)、単結晶酸化ガリウムの成膜プロセスを用いた世界最高性能の半導体系トンネル磁気抵抗素子を開発(産総研研究成果リストより)

2016920

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/091604121/?ST=device

http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2016/pr20160920/pr20160920.html

 

●ローム、超小型MOSFETを開発、従来比最大64%の実装面積を削減(ロームニュースリストより)

2016912

http://www.rohm.co.jp/web/japan/news-detail?news-title=2016-09-13_news_smallmos&defaultGroupId=false

http://kabutan.jp/news/marketnews/?b=n201609130159

 

●田中貴金属工業、200℃の低温でデバイスウエハーを高気密に封止できるサブミクロン金粒子を用いた気密封止接合技術をMEMS向けに展開(化学工業日報より)

201698

http://www.kagakukogyonippo.com/headline/2016/09/08-26196.html

 

Silicon Labs5kV耐圧の絶縁型ゲートドライバーの発売(Silicon Labsプリースリストより)

201697

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/092004148/?ST=device

http://news.silabs.com/press-release/product-news/silicon-labs-isolated-gate-drivers-offer-ultimate-protection-inverters-an

 

Maxim Integrated Products、発電量を30%増大させるセルオプティマイザーを開発(Maxim Integrated Productsニュースルームより)

201697

http://ednjapan.com/edn/articles/1609/15/news035.html

https://www.maximintegrated.com/jp/aboutus/newsroom.html/pr_142757399

 

TDKと東芝、車載用インバータの合弁会社「TDKオートモーティブテクノロジーズ株式会社」の設立(TDK、東芝プレスリリースより)

201692

http://www.tdk.co.jp/news_center/press/201609022512.htm

https://www.toshiba.co.jp/about/press/2016_09/pr_j0201.htm

 

●東陽テクニカ、サブナノ結晶配向情報検出ウエハーマッピング装置の作製に成功(東陽テクニカニュースリストより)

20160826

http://eetimes.jp/ee/articles/1608/26/news034.html

https://www.ij2016.com/exhibitor/ne20161624.html

http://www.toyo.co.jp/files/user/img/product/microscopy/pdf/160823_NEDO_InnovetionJAPAN2016_64133.pdf

 

SMK、中大型表示機器用として銅メッシュセンサーを利用し、大型・曲面にも対応できる静電容量方式タッチパネルを開発(SMK製品ニュースより)

20160825

https://www.smk.co.jp/news/press_release/2016/1065tp/?seni=&youto=&no=&karamu=&sort=&sid=&hid=&tp=&version=ja

http://techfactory.itmedia.co.jp/tf/articles/1609/12/news014.html

http://news.finance.yahoo.co.jp/detail/20160825-10000032-dzh-stocks

 

Dialog SemiconductorTSMC650V GaN on Siliconプロセス技術を採用したパワー半導体の開発

20160825

http://www.dialog-semiconductor.com/press-releases/dialog-semiconductor-enters-gallium-nitride-gan-market-first-integrated-devices-targeting-fast

http://news.mynavi.jp/news/2016/08/25/307/

 

●三菱電機、低損失パワー半導体モジュールでより省エネ的なルームエアコン新製品の発売(三菱電機ニュースリストより)

2016823

http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2016/pdf/0823.pdf

http://business.nikkeibp.co.jp/atclemf/15/238719/082401522/

 

●金沢大学,ダイヤモンド半導体を用いたパワーデバイスの実用化で課題となっていた反転層チャネルMOSFETの作製に成功(Natureより)

20160822

http://eetimes.jp/ee/articles/1608/24/news028.html

http://dx.doi.org/10.1038/srep31585

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