●産業技術総合研究所（NEDO)、SiC向け銀ナノペースト、5MPaという低い圧力で部材の接合の開発（EE Times Japanより）

2017年2月23日

http://eetimes.jp/ee/articles/1702/23/news026.html

 

●産業技術総合研究所（NEDO)、高性能小型デバイス用単結晶ナノキューブ3D構造体を開発（EE Times Japanより）

2017年2月23日

http://eetimes.jp/ee/articles/1702/20/news095.html

 ●東北大学と大阪大学、産業廃棄物をリチウムイオン電池材にリサイクル方法を開発（EE Times Japanより）

2017年2月23日

http://eetimes.jp/ee/articles/1702/23/news020.html

 

 ●三菱化学、パワー半導体事業を強化(化学工業日報より)

2017年2月17日

http://www.kagakukogyonippo.com/headline/2017/02/17-28241.html

 

 ●ローム、オーディオ機器向けのチップとして、あらゆる音源を再生可能なハイレゾ対応オーディオSoC「BM94803AEKU」を開発（ロームのニュースリリースより)

2017年2月14日

http://www.rohm.co.jp/web/japan/news-detail?news-title=2017-02-14_news_audio-soc&defaultGroupId=false

http://av.watch.impress.co.jp/docs/news/1044272.html

 

●ルネサス エレクトロニクス、EVモーター制御の専用回路を開発（ルネサス エレクトロニクスのニュースリリースより）

2017年2月7日

https://www.renesas.com/ja-jp/about/press-center/news/2017/news20170207.html

http://eetimes.jp/ee/articles/1702/07/news071.html

 

●東芝、ノイズ特性を改善した600V/650V耐圧スーパージャンクション構造のNチャネルパワーMOSFETを発売(東芝プレスリリースより)

2017年2月1日

https://toshiba.semicon-storage.com/jp/company/news/news-topics/2017/02/mosfet-20170201-1.html

●東工大と産総研、パワーデバイス内部の電界強度を定量的に計測することに成功（産総研ニュースより）

2017年1月26日

http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20170126/pr20170126.html

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/013006009/

 

●東芝、高効率電源向けに、低オン抵抗と高速スイッチング特性を改善した低電圧駆動のパワーMOSFETの新製品を発売（東芝のニュースリリースより）

2017年1月20日

https://toshiba.semicon-storage.com/jp/company/news/news-topics/2017/01/mosfet-20170120-1.html

http://www.jiji.com/jc/article?k=20170120005139&g=bw

 

●パデュー大学、酸化ガリウム(β-Ga2O3)半導体を用いた高性能パワートランジスタの動作実証に成功(マイナビニュースより)

2017年1月19日

http://news.mynavi.jp/news/2017/01/19/337/

 

●昭和電工、エコカーに的ＳｉＣパワー半導体向けアルミ複合材の放熱材料を開発(化学工業日報より)

2017年1月19日

http://www.kagakukogyonippo.com/headline/2017/01/19-27821.html

 

●大阪大学、銀の粒子焼結を応用してパワー半導体の低コスト3D配線技術を開発(大阪大学の ニュースより)

2017年1月18日

http://resou.osaka-u.ac.jp/ja/research/2017/20170118_1

http://eetimes.jp/ee/articles/1701/25/news034.html

 

●三菱電機、世界初、次世代移動通信システム向け「超広帯域GaNドハティ増幅器」の開発(三菱電機ニュースリリースより)

2017年1月12日

http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2017/0112-b.html

 

●Wolfspeed、インバーターの損失を78％削減できる、オン抵抗10mΩ、900V耐圧のSiCパワーMOSFET「CPM3-0900-0010A」を発売(Wolfspeedプレスリリースより)

2017年1月10日

http://www.wolfspeed.com/news/900v10mohm

 

●三菱化学, 富士電機、豊田中央研究所、京都大学、産業技術総合研究所などの共同チーム、窒化ガリウム（ＧａＮ）のウエハー上にＧａＮ素子を形成するパワー半導体の基礎技術を開発(日刊工業新聞より)

2017年1月10日

https://www.nikkan.co.jp/articles/view/00412813