2017.08.03
WBGパワー半導体ヘッドライン No . 46(7月 3日)●富士電機、従来のシリコン製パワー半導体に比べ、電力損失を約８割低減できる炭化ケイ素（SiC）パワー半導体を開発(富士電機のニュースリリースより)
2017年6月26日
http://www.fujielectric.co.jp/about/news/detail/2017/20170626093016489.html
https://www.nikkan.co.jp/articles/view/00433276
●産業技術総合研究所、プラスチック基材に高品質のセラミック膜を高効率でコーティングできる技術を開発(産業技術総合研究所のニュースリリースより)
2017年6月16日
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20170616_2/pr20170616_2.html
●安川電機、GaN（窒化ガリウム）パワー半導体を搭載したアンプ内蔵サーボモーター「Σ-7F」モデルを発売(MONOistより)
2017年6月16日
http://monoist.atmarkit.co.jp/mn/articles/1706/16/news023.html
●ローム、步行検知に向け、步数計測機能を持つ加速度センサー「KX126」を開発（ロームのニュースリリースより）
2017年6月15日
●産業技術総合研究所、高効率ガリウムヒ素太陽電池の低コスト製法を開発（産業技術総合研究所のニュースリリースより）
2017年6月13日
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20170613/pr20170613.html
●京都大学発ベンチャー、Ga2O3製のショットキーバリアーダイオードを開発(日刊工業新聞より)
2017年 6月 7日
https://www.nikkan.co.jp/articles/view/00430977
●アナログ・デバイセズ（ADI）、広帯域GaNモノリシックマイクロ波集積回路アンプを発表(アナログ・デバイセズプレースリリースより)
2017年6月6日
http://www.nikkei.com/article/DGXLRSP447252_W7A600C1000000/
●産業技術総合研究所、ゲルマニウム単結晶の膜厚10nm以下の均一な超薄膜構造の作製法を開発（産業技術総合研究所のニュースリリースより）
2017年6月5日
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20170605_2/pr20170605_2.html
●東芝、0.13μm世代のアナログパワー半導体向けに高いHBM耐量と負電圧耐性を両立した完全分離型Nチャネル-LDMOSの開発(東芝ニュースより)(NOH)
2017年 6月 1日
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/company/news/news-topics/2017/06/corporate-20170601-1.html
http://www.jiji.com/jc/article?k=20170601006736&g=bw
●半導体熱研究所、パワー半導体向けに高効率モリブデン銅放熱基板(日刊工業新聞ニュースより)
2017年 6月 1日
https://www.nikkan.co.jp/articles/view/00430335
●ヘッドスプリング、PCIMEurope2017にてDC-DCコンバーター、インバーターなど、SiC/GaNパワーデバイスの研究開発用の小型回路ブロックを展示(EETimesニュースより)
2017年 6月 1日
http://eetimes.jp/ee/articles/1706/01/news094.html
●安川電機、GaNパワー半導体を搭載したアンプ内蔵サーボモータを販売開始(安川電機ニュースより)
2017年 5月 25日
https://www.yaskawa.co.jp/newsrelease/product/31556
●昭和電工、炭化ケイ素（SiC）エピタキシャルウエハーの生産能力を大幅に増強(化学工業日報より)
2017年 6月 1日
http://www.kagakukogyonippo.com/headline/2017/06/01-29579.html
●アナログ・デバイセズ（ADI）、パワー半導体対応の絶縁ゲートドライバ４製品発表(アナログ・デバイセズプレースリリースより)
2017年5月25日
