●米MarvellSemiconductor社、車載GビットEthernet対応、セキュリティ強化のスイッチICを開発、一部発売(日経テクノロジーより)

2017年7月24日

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/072108448/

 

●理化学研究所、ヘテロ原子と触媒との相互作用で極性基の導入が容易に向け、ヘテロ原子を含む機能性ポリオレフィンを開発（理化学研究所のニュースリリースより）

2017年7月22日

http://www.riken.jp/pr/press/2017/20170722_1/

 

●NTT、シリコンフォトニクス技術を用いた光変調器にインジウムリン系化合物半導体を融合した小型・低消費電力・低損失な光変調器を開発(NTTニュースリリースより）

2017年7月18日

http://www.ntt.co.jp/news2017/1707/170718a.html

http://news.mynavi.jp/news/2017/07/19/165/

 

●米Texas Instruments(TI)社、USBType-Cに対応した昇降圧型電池充電制御ICを発売(日本TIニュースリリースより)

2017年7月19日

http://newscenter-jp.ti.com/press-releases?item=123771

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/072100887/

 

●日本TI、GaN（窒化ガリウム）半導体をベースとした三相インバーターのレファレンスデザイン「TIDA-00915」を開発(EDNJapanより)

2017年7月6日

http://ednjapan.com/edn/articles/1707/06/news019.html

 

●アルバック、パワーデバイス向け極薄ウェーハ対応・低加速イオン注入装置と高加速イオン注入装置「SOPHI（ソフィ）」2機種を開発、販売を開始(アルバックニュースリリースより)

2017年7月6日

https://www.ulvac.co.jp/information/20170706/

https://www.nikkan.co.jp/articles/view/00434864

 

●岩崎通信機、SiC・GaNパワー半導体デバイス容量測定自動化高電圧C-V測定システム「CS-600」シリーズ発売（岩崎通信機プレスリリースより）

2017年6月30日

https://www.iwatsu.co.jp/newsrelease/2017/170630.pdf

http://eetimes.jp/ee/articles/1707/03/news030.html

 

●日本テキサス・インスツルメンツ、99パーセント電力変換効率GaNパワー半導体3相インバーター発表（日本テキサス・インスツルメンツプレスリリースより）

2017年6月29日

http://newscenter-jp.ti.com/press-releases?item=123770

http://ednjapan.com/edn/articles/1707/06/news019.html

 

●三菱ケミカル、耐油性、耐摩耗性に優れた柔軟なポリエステル系熱可塑性エラストマーの新グレードを開発（三菱ケミカルノニュースリリースより）

2017年6月29日

https://www.m-chemical.co.jp/news/2017/__icsFiles/afieldfile/2017/06/29/20170629.pdf

 

●富士電機、トレンチゲート構造の「SiC-MOSFET」を開発プレーナーゲート構造を用いた素子に比べて、電気抵抗は5割以上も小さくなる(富士電機ニュースリリースより)

2017年6月26日

http://www.fujielectric.co.jp/about/news/detail/2017/20170626093016489.html

http://eetimes.jp/ee/articles/1707/10/news030.html

 

●東北大、直径5nmの3次元窒化インジウムガリウム／窒化ガリウム（InGaN／GaN）量子ドットを開発(東北大学材料科学高等研究所ニュースリリースより)

2017年6月23日

http://www.wpi-aimr.tohoku.ac.jp/jp/news/press/2017/20170623_000978.html

http://eetimes.jp/ee/articles/1706/26/news023.html