●国立研究開発法人情報通信研究機構ネットワークシステム研究所、光ファイバで伝送されたパケット信号の経路を切り替える光交換技術において、従来の世界記録を4倍以上更新し、毎秒53.3テラビットの光パケット信号のスイッチング実験に成功(国立研究開発法人情報通信研究機構プレスリリースより)

2017年10月2日

http://www.nict.go.jp/press/2017/10/02-1.html

https://prw.kyodonews.jp/opn/release/201710026341/

 

●三菱電機、パワー半導体モジュールに搭載されるパワー半導体素子として、電流を高速に遮断する保護回路無しで使える、電力損失が世界最小のSiCパワー半導体素子を開発（ニュースリリースより）

2017年9月22日

http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2017/pdf/0922.pdf

 

●産総研、透過電子顕微鏡画像から窒化ガリウム結晶欠陥を容易に検出する技術を開発（産総研のプレスリリースより)

2017年9月21日

http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20170921/pr20170921.html

 

●京都大学、原料の入った溶液を超音波振動で「霧状」にして基板に吹き付け、基板上に薄膜を実現(日経エレクトロニクスより)

2017年9月19日

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/mag/15/00171/00004/?rt=nocnt

 

●米Alpha and Omega Semiconductor社、最大コレクター電流が40Aの1200V耐圧IGBT「AOK40B120H1」を発売（米Alpha and Omega Semiconductorのニュースリリースより)

2017年9月19日

http://www.aosmd.com/res/news/news-article-1505235260515/AOK40B120H1_PR.pdf

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/091600949/

 

●昭和電工、基底面転位を0.1個/cm2以下に抑えた高品質SiCエピウエハーの生産能力を増強(昭和電工のニュースリリースより)

2017年9月14日

http://www.sdk.co.jp/news/2017/16064.html

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15am/091400148/?d=1505446833520

 

●JEDEC、ワイドバンドギャップ半導体(GaN,SiC)の信頼性確保のため新しい委員会を立ち上げ(JEDECプレスリリースより)

2017年9月11日

https://www.jedec.org/news/pressreleases/new-jedec-committee-set-standards-wide-bandgap-power-semiconductors

http://www.businesswire.com/news/home/20170911005910/en/New-JEDEC-Committee-Set-Standards-Wide-Bandgap

 

●Transphorm, EPE 2017 ECCE Europeで次世代高電圧GaNのデザイン及び教育に関する発表（Transphormのプレスリリースより)

2017年9月10日

http://www.transphormusa.com/news/transphorm-gan-totem-pole-reference-design-epe-2017-ecce/

 

●三菱電機、産業用カラーTFT液晶モジュールの新製品として、計測器やハンディーターミナルなどの表示器向けに、高解像度、超広視野角、広い動作温度範囲で、薄型・軽量化を実現した10.1型WXGAのサンプル提供を10月1日に開始（ニュースリリースより）

2017年9月6日

http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2017/pdf/0906.pdf

 

●STMicro、13.5mm×11.5mmと小型のBluetooth Low Energy（BLE）モジュールを発売(STMicroプレスリリースより)

2017年9月6日

http://www.st.com/content/st_com/en/about/media-center/press-item.html/n3962.html

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/090809108/?ST=device

 

●三菱電機、定格電流が75Aと大きい＋1200V耐圧のIGBTモジュール「PSS75SA2FT」を発売　(三菱電機のニュースリリースより)

2017年8月30日

http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2017/pdf/0830.pdf

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/090200935/

 

●米Efficient Power Conversion社、＋200V耐圧のGaN（窒化ガリウム）製FETを搭載した最大60W出力のE級（クラスE）パワーアンプ開発ボード

「EPC9083」を発売(Efficient Power Conversionより)

2017年9月1日

http://epc-co.com/epc/Products/DemoBoards/EPC9083.aspx

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/090100932/

 

●大阪大学産業科学研究所、菅沼克昭教授らの研究グループが、次世代パワー半導体接続技術である銀粒子焼結接合において、低温・無加圧化に加え電極を選ばないダイアタッチを実現したと発表（大阪大学産業科学研究所より）

2017年8月31日

http://www.sanken.osaka-u.ac.jp/toppage/hot_topics/topics_20170831/

http://news.mynavi.jp/news/2017/08/31/204/

 

●産総研、RFスパッタ法を用いた世界最高性能の窒化ガリウム圧電薄膜を開発（産総研のプレスリリースより)

2017年８月３１日

http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20170921/pr20170921.html

 

●科学技術振興機構（JST）、SiCやGaNなどの難加工性基板の研磨性能を向上した研磨パッドの開発に成功（JSTプレスリリースより）

2017年8月28日

http://www.jst.go.jp/pr/info/info1272/index.html

http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/16/082808910/?ST=powerele&d=1505118813559