2017.12.14
WBGパワー半導体ヘッドライン No . 50(11月 14日)●矢野経済研究所、SiC（炭化ケイ素）などワイドバンドギャップ半導体単結晶の国内市場（メーカー出荷金額）は、2017年の約96億円に対し、2023年は約153億円に拡大する見通し(EE Times Japanより)
2017年10月24日
http://eetimes.jp/ee/articles/1710/24/news048.html
●Littelfuse、超高速なスイッチング用低オン抵抗・高耐圧(80mΩ、1200V)のSiC MOSFETを発売(日経テクノロジーより)
2017年10月19日
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/101900990/
●東芝、第2世代の＋650V耐圧SiCダイオードチップを搭載したSiCショットキバリアダイオードに表面実装パッケージ製品を追加(日経テクノロジーより)
2017年10月19日
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/company/news/news-topics/2017/10/diode-20171017-1.html
http://techon.nikkeibp.co.jp/atcl/news/15yk/101900991/
● 東北大学ら、従来の性能を超える有機半導体デバイス用電極を開発（EE Times Japanにより）
2017年10月19日
http://eetimes.jp/ee/articles/1710/19/news085.html
●微小めっき研究所、企業連携を組み、次世代半導体デバイスの製造に使う銅メッキ技術の事業化に乗り出す（日刊工業新聞より）
2017年10月17日
https://www.nikkan.co.jp/articles/view/00447062
●日立金属、電気自動車やハイブリッド電気自動車、鉄道車両、産業機器に搭載されるパワーモジュール用に高熱伝導窒化ケイ素基板を開発(日立金属プレスリリース)
2017年10月13日
http://www.hitachi-metals.co.jp/press/news/2017/n1013g.html
● ローム、ストレスや血管年齢測定に対応するハイスピード脈波センサ「BH1792GLC」を開発(ロームプレスリリース)
2017年10月11日
http://www.rohm.co.jp/web/japan/news-detail?news-title=2017-10-11_news_bh1792&defaultGroupId=false
●FLOSFIA、「CEATEC JAPAN 2017」で酸化ガリウムのSBD（ショットキーバリアダイオード）を展示(EE Times Japanより)
2017年10月6日
http://eetimes.jp/ee/articles/1710/06/news061.html
●三菱電気、衛星通信地球局小型化向け高周波数Ka帯(26GHz40GHz)GaN HEMT MMIC、11月1日発売(三菱電気プレースリリースより)
2017年10月4日
http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2017/1004.html
https://www.nikkei.com/article/DGXLRSP459276_U7A001C1000000/
●三菱電機、パワー半導体でを用い太陽光および風力といった自然エネルギー関連、電気自動車（ＥＶ）などの新領域を開拓(化学工業日報社より）
2017年10月２日
http://www.kagakukogyonippo.com/headline/2017/10/02-31141.html
●前田建設ＶＢ、次世代パワー半導体向けに、スズと銅の金属間化合物粒子を使用した接合材を量産(日刊工業新聞より）
2017年10月1日
https://www.nikkan.co.jp/articles/view/00445059
●North Carolina State UniversityのJay Baligaら、既存のSiパワーデバイスの１．５倍のコストで製造可能なSiCデバイスの新しい工程発表(EE Times Japanより)
2017念9月26日
http://eetimes.jp/ee/articles/1709/26/news034.html
●三菱電機、電力損失が世界最小のSiCパワー半導体素子を開発 (三菱電機ニュースリリースより)
2017年9月22日
http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2017/0922.html
●産総研、透過電子顕微鏡画像からGaN半導体結晶欠陥をに検出する技術を開発(産総研プレースリリースより)
2017年9月21日
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20170921/pr20170921.html
