●三菱電機、SiC（炭化ケイ素）インゴッドをウエハースライス加工するためのマルチワイヤー放電スライス加工機を開発(EE times Japanより)

2017年12月25日

http://eetimes.jp/ee/articles/1712/26/news013.html

 

●三菱電機、摩擦帯電による静電気を利用して大気中のPM2.5や花粉・ホコリなどを除去する摩擦帯電方式の空気清浄デバイスを開発（三菱電機のニュースリリースにより）

2017年12月21日

http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2017/1221.html

 

●東洋炭素、ＥＶ航続距離10％向できるパワー半導体用基板を量産(日本経済新聞より)

2017年12月16日

https://www.nikkei.com/article/DGXMZO24719420V11C17A2LKA000/

 

●日立化成、新しい実装プロセスを提案、熱圧着プロセスを10分の1に短縮(EE times Japanより)

2017年12月15日

http://eetimes.jp/ee/articles/1712/15/news028.html

 

●ディスコ、SiCインゴットを新しレーザー加工技術を発表、時間および素材ロスを極的に減らすことに成功(ディスコプレスリリース)

2017年12月11日

https://www.disco.co.jp/jp/news/press/20171211.html

https://www.nikkei.com/article/DGKKZO2448809011122017TJ2000/

 

●東芝、GaN-MOSFETの信頼性を向上するゲート絶縁膜プロセス技術を開発(東芝ニュースより)

2017年12月07日

http://www.toshiba.co.jp/rdc/detail/1712_01.htm

https://www.nikkan.co.jp/articles/view/00453377

 

●富士通、SiC（炭化ケイ素）基板に単結晶ダイヤモンドを常温で接合する技術を開発、高出力GaN-HEMTアンプに向け(富士通プレスリリストより)

2017年12月07日

http://pr.fujitsu.com/jp/news/2017/12/7.html

http://eetimes.jp/ee/articles/1712/11/news019.html

 

●ディスコ、プラットフォームの改良によるワーク搬送時間の短縮や加工軸速度の向上を通じ、薄Siウェーハの高スループット加工を実現できるΦ300 mmウェーハ対応のステルスダイシング（SD）レーザソー「DFL7362」を開発(ディスコプレスリリース)

2017年12月06日

https://www.disco.co.jp/jp/news/press/20171206.html

 

●三菱電機と東京大学、世界で初めて、パワー半導体モジュールに搭載されるSiCパワー半導体素子の抵抗の大きさを左右する電子散乱を起こす3つの要因の影響度を解明（三菱電機のニュースリリースにより）

2017年12月05日

http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2017/1205-a.pdf

 

●産総研、高効率化・高信頼性確保のため1200ボルトショットキーバリアSiCトランジスタ開発に着手(産総研のニュースリリースにより)

2017年12月5日

http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20171205/pr20171205.html