●STマイクロエレクトロニクス、Innogration Technologies社と、RFパワー向けLDMOS技術に関して合意したことを発表（jiji.comのニュースリリースより）

2018年３月2日

https://www.jiji.com/jc/article?k=000000846.000001337&g=prt

 

●NEDO、従来のGaNパワートランジスタ技術では困難であった連続安定動作を20Aの大電流で可能とする絶縁ゲート型GaNパワートランジスタを開発（NEDOのニュースリリースより）

2018年２月23日

http://www.nedo.go.jp/news/press/AA5_100922.html

 

●三菱電機、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体モジュールを適用することで、洋上風力のHVDC（高圧直流）送電を効率化する新技術を開発（日経TECHのニュースリリースより）

2018年２月16日

http://tech.nikkeibp.co.jp/dm/atcl/news/16/021610773/

 

●パナソニック、米国のパワーエレクトロニクス展示会「APEC 2018」にGaN/SiCパワーデバイス関連製品を出展 (PRTIMESより)

2018年2月15日

https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000002986.000003442.html

 

●MACOM Technology Solutions HoldingsおよびSTMicroelectronics、両社共同でRFモジュールとしてSiウェハ上のGaNを製造し通信基盤を狙う（MACOM Technology Solutions HoldingsおよびSTMicroelectronicsプレスリリースより）

2018年２月６日

https://www.macom.com/about/news-and-events/press-release-archive/row-col1/news–event-archive/macom-and-stmicroelectronics-to

http://www.st.com/content/st_com/ja/about/media-center/press-item.html/t4020.html

https://globenewswire.com/news-release/2018/02/06/1333981/0/en/MACOM-and-STMicroelectronics-to-Bring-GaN-on-Silicon-to-Mainstream-RF-Markets-and-Applications.html

 

●三菱電機，独自の1チップ構造と新パッケージの採用により世界最高の定格出力密度を実現した6.5kV耐圧フルSiC パワー半導体モジュールを開発（三菱電機のニュースリリースより）

２０１８年１月３１日

http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2018/0131-a.html

 

●バンドー化学、接合材ブランド「ＦｌｏｗＭｅｔａｌ」（フローメタル）で、パワーデバイス実装向け新たに窒素雰囲気焼結に対応した鉛ハンダ代替銀ナノ粒子ペースト接合材を開発(化学工業日報より)

2018年1月22日

http://www.kagakukogyonippo.com/headline/2018/01/22-32450.html

 

●アカネ、熱伝導率が銅の２倍以上と極めて高い、黒鉛と銅からなる複合材を開発(ハイブリッド自動車(ＨＶ)や電車などに使われる次世代パワー半導体の放熱基板としての用途を想定し実用化を進めている)(ニュースイッチより)

2018年1月21日

http://akane-kk.jp/entry14.html

https://newswitch.jp/p/11757

 

●Transphorm、GaN基盤のパワーサプライを供給、既存のパワーサプライより11パーセント小さいながらも6.5パーセント出力向上（Transphormプレスリリースより）

2018年１月９日

http://www.transphormusa.com/news/transphorm-corsair-gaming/