NEW TOPICS

2018.05.04

WBGパワー半導体ヘッドライン No.55(4月4日)

●AGC旭硝子,次世代パワー半導体材料開発会社であるノベルクリスタルテクノロジー社への出資を決定(motonfan techより)

2018年03月24日

https://motor-fan.jp/tech/10003572

 

●ラピスセミコンダクタ、13.56MHz帯ワイヤレス給電で、ヒアラブル機器にワイヤレス充電時に向けに、世界最小ワイヤレス給電制御チップセット「ML7630 (受電・端末側)」「ML7631 (送電・充電器側)」を開発(ラピスセミコンダクタノニュースリリースより)

2018年3月19日

http://www.lapis-semi.com/jp/company/news/news2018/r201803_1.html

 

●米Diodes社、入力電圧範囲が+5〜60Vと広い最大1A出力のLEDドライバーIC「AL8862」を発売した(Diodesニュースリリストより)

2018年3月13日

https://www.diodes.com/assets/Press-Releases/60V-1A-Buck-LED-Driver-from-Diodes-Incorporated-adds-Dimming-for-Commercial-Lighting-AL8862-IPR-0318.pdf

 

●ローム、ハイレゾリューション(ハイレゾ)音源の再生に向けたオーディオ機器用の電源ICを発売した高音質オーディオ向け電源IC、高い電圧安定性と低雑音を実現(ロームニュースリリストより)

2018年3月13日

http://www.rohm.co.jp/web/japan/news-detail?news-title=2018-03-13_news_audio&defaultGroupId=false

 

●三菱電機、伝送速度400Gbpsの大容量高速光ファイバー通信で使用される送信モジュールの新製品として、IEEE 400GBASE-LR8規格に業界で初めて32個のTOSAで適合した「400Gbps 小型集積EMLTOSA」のサンプル提供を開始(三菱のニュースリリースより)

2018年3月7日

http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2018/0307.html

 

●アナログデバイス・Microsemi社、SiCパワーモジュール向け高 出力、高電圧絶縁型ゲート・ドライバ・ボードを発表(アナログデバイスプレスリリースより)

2018年3月6日

http://www.analog.com/jp/about-adi/news-room/press-releases/2018/3-6-2018-analog-devices-high-power-and-high-voltage-isolated-gate-driver-board.html

 

●Efficient Power Conversion社、中国の技術者に加わりGaNとICの性能を最大化する新しい設計(Efficient Power Conversionプレスリリースより)

2018年3月8日

https://epc-co.com/epc/jp/%E3%82%A4%E3%83%99%E3%83%B3%E3%83%88%E3%81%A8%E3%83%8B%E3%83%A5%E3%83%BC%E3%82%B9/%E3%83%8B%E3%83%A5%E3%83%BC%E3%82%B9/ArtMID/2995/ArticleID/1833/Efficient-Power-Conversion%EF%BC%88EPC%EF%BC%89%E3%80%81%E5%BD%93%E7%A4%BE%E3%81%AE%E3%82%A8%E3%82%AD%E3%82%B9%E3%83%91%E3%83%BC%E3%83%88%E3%81%9F%E3%81%A1%E3%81%8C%E4%B8%AD%E5%9B%BD%E3%81%AE%E6%8A%80%E8%A1%93%E8%80%85%E3%81%AB%E5%8A%A0%E3%82%8F%E3%81%A3%E3%81%A6%E3%80%81%E5%8D%98%E3%81%AA%E3%82%8BMOSFET%E3%81%AE%E7%BD%AE%E3%81%8D%E6%8F%9B%E3%81%88%E3%81%A0%E3%81%91%E3%81%A7%E3%81%AA%E3%81%8F%E3%80%81GaN-FET%E3%81%A8IC%E3%81%AE%E6%80%A7%E8%83%BD%E3%82%92%E6%9C%80%E5%A4%A7%E5%8C%96%E3%81%99%E3%82%8B%E3%81%93%E3%81%A8%E3%81%AB%E3%82%88%E3%81%A3%E3%81%A6%E6%96%B0%E3%81%97%E3%81%84%E8%A8%AD%E8%A8%88%E3%82%92%E9%9D%A9%E6%96%B0.aspx

 

●パナソニック、しきい値電圧が変動せず、連続安定駆動が可能な絶縁ゲート型(MIS型) GaNパワートランジスタを開発(motonfan techより)

2018年02月25日

https://motor-fan.jp/tech/10003169

 

●三菱電機は、3.3kV高電圧で送電できるSiCパワー半導体を採用した変換器を開発 (ニュースイッチより)

2018年2月25日

https://newswitch.jp/p/12146

一覧に戻る
アーカイブ